C3M0065100K
C3M0065100K
Modelo do Produto:
C3M0065100K
Fabricante:
Cree
Descrição:
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13511 Pieces
Ficha de dados:
C3M0065100K.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 5mA
Vgs (Max):+19V, -8V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247-4L
Série:C3M™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:78 mOhm @ 20A, 15V
Dissipação de energia (Max):113.5W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-4
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Número de peça do fabricante:C3M0065100K
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 600V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):15V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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