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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > CSD19535KTT
CSD19535KTT
Modelo do Produto:
CSD19535KTT
Fabricante:
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade disponível:
18188 Pieces
Ficha de dados:
CSD19535KTT.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DDPAK/TO-263-3
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Outros nomes:296-45538-6
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):2 (1 Year)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD19535KTT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7930pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:98nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200A (Ta)
Email:[email protected]

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