CXDM3069N TR
CXDM3069N TR
Modelo do Produto:
CXDM3069N TR
Fabricante:
Central Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15112 Pieces
Ficha de dados:
CXDM3069N TR.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
Vgs (Max):12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-89
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:30 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.2W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-243AA
Outros nomes:CXDM3069N DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:CXDM3069N TR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:580pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 6.9A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.9A (Ta)
Email:[email protected]

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