Português
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Sobre Nós | Contacte-nos | Solicitar um orçamento |
Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC2015
EPC2015
EPC2015
Modelo do Produto:
EPC2015
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19734 Pieces
Ficha de dados:
EPC2015.pdf
inquérito

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para EPC2015, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para EPC2015 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar EPC2015 com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 9mA
Vgs (Max):+6V, -5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die Outline (11-Solder Bar)
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4 mOhm @ 33A, 5V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:917-1019-2
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:EPC2015
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11.6nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:33A (Ta)
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações

Peças relacionadas para EPC2015

Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE inquérito
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE inquérito
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE inquérito
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE inquérito
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE inquérito
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE inquérito
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE inquérito
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE inquérito
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE inquérito
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE inquérito
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE inquérito
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE inquérito
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE inquérito
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE inquérito
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE inquérito
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE inquérito
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE inquérito
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE inquérito
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE inquérito

Latest Notícias