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DMG4N60SJ3
- Modelo do Produto:
- DMG4N60SJ3
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- MOSFET NCH 600V 3A TO251
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15367 Pieces
- Ficha de dados:
- DMG4N60SJ3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DMG4N60SJ3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DMG4N60SJ3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-251 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| Power - Max: | 41W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DMG4N60SJ3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 532pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Característica FET: | Standard |
| Descrição expandida: | Mosfet Array MOSFET N-Channel, Metal Oxide 600V 3A (Tc) 41W Through Hole TO-251 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET NCH 600V 3A TO251 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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