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DMG4N60SK3-13
- Modelo do Produto:
- DMG4N60SK3-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17432 Pieces
- Ficha de dados:
- DMG4N60SK3-13.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DMG4N60SK3-13, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DMG4N60SK3-13 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-252 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.3 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 48W (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | DMG4N60SK3-13DITR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DMG4N60SK3-13 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 532pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T& |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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