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DMT3011LDT-7
- Modelo do Produto:
- DMT3011LDT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12457 Pieces
- Ficha de dados:
- DMT3011LDT-7.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DMT3011LDT-7, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DMT3011LDT-7 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | V-DFN3030-8 (Type K) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 20 mOhm @ 6A, 10V |
| Power - Max: | 1.9W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | DMT3011LDT-7-ND DMT3011LDT-7DITR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DMT3011LDT-7 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 641pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 13.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Característica FET: | Standard |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 8A, 10.7A |
| Email: | [email protected] |
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