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DTB123YUT106
- Modelo do Produto:
- DTB123YUT106
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12256 Pieces
- Ficha de dados:
- DTB123YUT106.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DTB123YUT106, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DTB123YUT106 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | UMT3 |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | 10k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 2.2k |
| Power - Max: | 200mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-70, SOT-323 |
| Outros nomes: | DTB123YUT106-ND DTB123YUT106TR |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DTB123YUT106 |
| Frequência - Transição: | 200MHz |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3 |
| Descrição: | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 56 @ 50mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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