EFC6605R-TR
Modelo do Produto:
EFC6605R-TR
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH EFCP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18791 Pieces
Ficha de dados:
EFC6605R-TR.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-EFCP (1.9x1.46)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:-
Power - Max:1.6W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-XFBGA
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:EFC6605R-TR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:19.8nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1.6W Surface Mount 6-EFCP (1.9x1.46)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET 2N-CH EFCP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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