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EFC6612R-TF
- Modelo do Produto:
- EFC6612R-TF
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19100 Pieces
- Ficha de dados:
- EFC6612R-TF.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-CSP (1.77x3.54) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | - |
| Power - Max: | 2.5W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 6-SMD, No Lead |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | EFC6612R-TF |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Característica FET: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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