FDD14AN06LA0_F085
FDD14AN06LA0_F085
Modelo do Produto:
FDD14AN06LA0_F085
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16234 Pieces
Ficha de dados:
FDD14AN06LA0_F085.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252AA
Série:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:11.6 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):125W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FDD14AN06LA0_F085-ND
FDD14AN06LA0_F085TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:FDD14AN06LA0_F085
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2810pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 9.5A (Ta), 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.5A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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