IPAN60R800CEXKSA1
IPAN60R800CEXKSA1
Modelo do Produto:
IPAN60R800CEXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13093 Pieces
Ficha de dados:
IPAN60R800CEXKSA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 170µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO220 Full Pack
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:800 mOhm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max):27W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:SP001508822
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:IPAN60R800CEXKSA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:373pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:N-Channel 600V 8.4A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.4A (Tc)
Email:[email protected]

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