FDD7N60NZTM
FDD7N60NZTM
Modelo do Produto:
FDD7N60NZTM
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15365 Pieces
Ficha de dados:
FDD7N60NZTM.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-Pak
Série:UniFET-II™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
Dissipação de energia (Max):90W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FDD7N60NZTM-ND
FDD7N60NZTMTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FDD7N60NZTM
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:730pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

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