FDFMA2P853
FDFMA2P853
Modelo do Produto:
FDFMA2P853
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12569 Pieces
Ficha de dados:
FDFMA2P853.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-MicroFET (2x2)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.4W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-VDFN Exposed Pad
Outros nomes:FDFMA2P853FSTR
FDFMA2P853TR
FDFMA2P853TR-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:FDFMA2P853
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:435pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrição expandida:P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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