FDFMA3P029Z
FDFMA3P029Z
Modelo do Produto:
FDFMA3P029Z
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14467 Pieces
Ficha de dados:
FDFMA3P029Z.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-MicroFET (2x2)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:87 mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.4W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:6-VDFN Exposed Pad
Outros nomes:FDFMA3P029ZDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDFMA3P029Z
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:435pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrição expandida:P-Channel 30V 3.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.3A (Ta)
Email:[email protected]

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