FDG410NZ
Modelo do Produto:
FDG410NZ
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17447 Pieces
Ficha de dados:
FDG410NZ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-70-6
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):420mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:FDG410NZ-ND
FDG410NZTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FDG410NZ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:535pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.2nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 2.2A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.2A (Ta)
Email:[email protected]

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