FDM606P
Modelo do Produto:
FDM606P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15104 Pieces
Ficha de dados:
FDM606P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-MLP, MicroFET (3x2)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:30 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.92W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDM606P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 6.8A (Tc) 1.92W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x2)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.8A (Tc)
Email:[email protected]

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