FDP085N10A_F102
Modelo do Produto:
FDP085N10A_F102
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19587 Pieces
Ficha de dados:
FDP085N10A_F102.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.5 mOhm @ 96A, 10V
Dissipação de energia (Max):188W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:9 Weeks
Número de peça do fabricante:FDP085N10A_F102
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2695pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 96A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:96A (Tc)
Email:[email protected]

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