FDZ209N
Modelo do Produto:
FDZ209N
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13744 Pieces
Ficha de dados:
FDZ209N.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:12-BGA (2x2.5)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:80 mOhm @ 4A, 5V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:12-WFBGA
Outros nomes:FDZ209N-ND
FDZ209NTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDZ209N
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:657pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 12-BGA (2x2.5)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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