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RUE003N02TL
- Modelo do Produto:
- RUE003N02TL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16429 Pieces
- Ficha de dados:
- RUE003N02TL.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RUE003N02TL, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RUE003N02TL por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | EMT3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1 Ohm @ 300mA, 4V |
| Dissipação de energia (Max): | 150mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-75, SOT-416 |
| Outros nomes: | RUE003N02TLTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | RUE003N02TL |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 25pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 20V 300mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.8V, 4V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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