FJV4102RMTF
Modelo do Produto:
FJV4102RMTF
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12235 Pieces
Ficha de dados:
1.FJV4102RMTF.pdf2.FJV4102RMTF.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:FJV4102RMTF-ND
FJV4102RMTFTR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:FJV4102RMTF
Frequência - Transição:200MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descrição:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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