FJV4108RMTF
Modelo do Produto:
FJV4108RMTF
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14332 Pieces
Ficha de dados:
1.FJV4108RMTF.pdf2.FJV4108RMTF.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):22k
Resistor - Base (R1) (Ohms):47k
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FJV4108RMTF
Frequência - Transição:200MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descrição:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:56 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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