FQA38N30
FQA38N30
Modelo do Produto:
FQA38N30
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17983 Pieces
Ficha de dados:
FQA38N30.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PN
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:85 mOhm @ 19.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):290W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FQA38N30
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 300V 38.4A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3PN
Escorra a tensão de fonte (Vdss):300V
Descrição:MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:38.4A (Tc)
Email:[email protected]

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