FQAF22P10
Modelo do Produto:
FQAF22P10
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 16.6A TO-3PF
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13508 Pieces
Ficha de dados:
FQAF22P10.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PF
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:125 mOhm @ 8.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):70W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SC-94
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FQAF22P10
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 100V 16.6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3PF
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET P-CH 100V 16.6A TO-3PF
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:16.6A (Tc)
Email:[email protected]

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