FQD4N25TF
FQD4N25TF
Modelo do Produto:
FQD4N25TF
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13755 Pieces
Ficha de dados:
1.FQD4N25TF.pdf2.FQD4N25TF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-Pak
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.75 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 37W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:Q1585607
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FQD4N25TF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 250V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount D-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss):250V
Descrição:MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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