FQI27N25TU
FQI27N25TU
Modelo do Produto:
FQI27N25TU
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19373 Pieces
Ficha de dados:
FQI27N25TU.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAK
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 12.75A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.13W (Ta), 180W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FQI27N25TU
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2450pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 250V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole I2PAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):250V
Descrição:MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25.5A (Tc)
Email:[email protected]

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