Comprar PHK04P02T,518 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 600mV @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 120 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 5W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes: | 1727-2156-2 568-11870-2-ND 568-12317-2-ND 934057290518 PHK04P02T /T3 PHK04P02T /T3-ND PHK04P02T,518-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 2 (1 Year) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | PHK04P02T,518 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 528pF @ 12.8V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.2nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 16V 4.66A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 2.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 16V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4.66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |