FQT7N10LTF
Modelo do Produto:
FQT7N10LTF
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14934 Pieces
Ficha de dados:
1.FQT7N10LTF.pdf2.FQT7N10LTF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-223-4
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:350 mOhm @ 850mA, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes:FQT7N10LTFTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Número de peça do fabricante:FQT7N10LTF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

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