FQU11P06TU
FQU11P06TU
Modelo do Produto:
FQU11P06TU
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16113 Pieces
Ficha de dados:
FQU11P06TU.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:185 mOhm @ 4.7A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 38W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Número de peça do fabricante:FQU11P06TU
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:550pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.4A (Tc)
Email:[email protected]

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