Comprar FQU3P50TU com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | I-Pak |
| Série: | QFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | FQU3P50TU |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 500V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 500V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |