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HTNFET-D
- Modelo do Produto:
- HTNFET-D
- Descrição:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 13392 Pieces
- Ficha de dados:
- HTNFET-D.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para HTNFET-D, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para HTNFET-D por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-CDIP-EP |
| Série: | HTMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Dissipação de energia (Max): | 50W (Tj) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 8-CDIP Exposed Pad |
| Outros nomes: | 342-1078 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | HTNFET-D |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 28V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 8-CDIP-EP |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 55V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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