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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPAW60R180P7SXKSA1
IPAW60R180P7SXKSA1
IPAW60R180P7SXKSA1
Modelo do Produto:
IPAW60R180P7SXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19744 Pieces
Ficha de dados:
IPAW60R180P7SXKSA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 280µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO220 Full Pack
Série:CoolMOS™ P7
RDS ON (Max) @ Id, VGS:180 mOhm @ 5.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):26W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:SP001606072
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IPAW60R180P7SXKSA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1081pF @ 400V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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