IPAW60R600CEXKSA1
IPAW60R600CEXKSA1
Modelo do Produto:
IPAW60R600CEXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 600V TO220-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13724 Pieces
Ficha de dados:
IPAW60R600CEXKSA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 200µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO220 Full Pack
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:600 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):28W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:SP001391618
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IPAW60R600CEXKSA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:444pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:N-Channel 600V 10.3A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V TO220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10.3A (Tc)
Email:[email protected]

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