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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPB77N06S212ATMA2
IPB77N06S212ATMA2
IPB77N06S212ATMA2
Modelo do Produto:
IPB77N06S212ATMA2
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17862 Pieces
Ficha de dados:
IPB77N06S212ATMA2.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 93µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO263-3-2
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:11.7 mOhm @ 38A, 10V
Dissipação de energia (Max):158W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:SP001061294
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:IPB77N06S212ATMA2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1770pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 55V 77A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição:MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:77A (Tc)
Email:[email protected]

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