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IPD12CNE8N G
- Modelo do Produto:
- IPD12CNE8N G
- Descrição:
- MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15534 Pieces
- Ficha de dados:
- IPD12CNE8N G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IPD12CNE8N G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IPD12CNE8N G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO252-3 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 12.4 mOhm @ 67A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 125W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | SP000096477 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IPD12CNE8N G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4340pF @ 40V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 85V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 85V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 67A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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