Comprar IPD50R950CE com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 100µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO252-3 |
Série: | CoolMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
Dissipação de energia (Max): | 34W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Outros nomes: | IPD50R950CEBTMA1 IPD50R950CEINTR SP000992070 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
Número de peça do fabricante: | IPD50R950CE |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 231pF @ 100V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | Super Junction |
Descrição expandida: | N-Channel 500V 4.3A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 500V |
Descrição: | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |