IPU60R1K4C6AKMA1
IPU60R1K4C6AKMA1
Modelo do Produto:
IPU60R1K4C6AKMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14777 Pieces
Ficha de dados:
IPU60R1K4C6AKMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 90µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO251
Série:CoolMOS™ C6
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipação de energia (Max):28.4W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:SP001292874
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IPU60R1K4C6AKMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.2A (Tc)
Email:[email protected]

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