IRFH7911TR2PBF
IRFH7911TR2PBF
Modelo do Produto:
IRFH7911TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18348 Pieces
Ficha de dados:
IRFH7911TR2PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PQFN (5x6)
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.6 mOhm @ 12A, 10V
Power - Max:2.4W, 3.4W
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:18-PowerVQFN
Outros nomes:IRFH7911TR2PBFDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):2 (1 Year)
Número de peça do fabricante:IRFH7911TR2PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 28A 2.4W, 3.4W Surface Mount PQFN (5x6)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:13A, 28A
Email:[email protected]

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