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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFH7932TR2PBF
IRFH7932TR2PBF
IRFH7932TR2PBF
Modelo do Produto:
IRFH7932TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17147 Pieces
Ficha de dados:
IRFH7932TR2PBF.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PQFN (5x6) Single Die
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.3 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.4W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:IRFH7932TR2PBFDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRFH7932TR2PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4270pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 24A (Ta), 104A (Tc) 3.4W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 104A (Tc)
Email:[email protected]

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