IRFH8201TRPBF
IRFH8201TRPBF
Modelo do Produto:
IRFH8201TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14483 Pieces
Ficha de dados:
IRFH8201TRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PQFN (5x6)
Série:HEXFET®, StrongIRFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:0.95 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.6W (Ta), 156W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:IRFH8201TRPBF-ND
IRFH8201TRPBFTR
SP001577876
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:IRFH8201TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7330pF @ 13V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:111nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:49A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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