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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFHM830TR2PBF
IRFHM830TR2PBF
IRFHM830TR2PBF
Modelo do Produto:
IRFHM830TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13760 Pieces
Ficha de dados:
IRFHM830TR2PBF.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 50µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PQFN (3x3)
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.7W (Ta), 37W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-VQFN Exposed Pad
Outros nomes:IRFHM830TR2PBFDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRFHM830TR2PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2155pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:21A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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