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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFHM8342TRPBF
IRFHM8342TRPBF
IRFHM8342TRPBF
Modelo do Produto:
IRFHM8342TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15313 Pieces
Ficha de dados:
IRFHM8342TRPBF.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:16 mOhm @ 17A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.6W (Ta), 20W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:IRFHM8342TRPBFTR
SP001551976
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IRFHM8342TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 10A (Ta) 2.6W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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