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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFC110N10P
IXFC110N10P
Modelo do Produto:
IXFC110N10P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12540 Pieces
Ficha de dados:
IXFC110N10P.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS220™
Série:HiPerFET™, PolarHT™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:17 mOhm @ 55A, 10V
Dissipação de energia (Max):120W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:ISOPLUS220™
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXFC110N10P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3550pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 60A (Tc) 120W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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