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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFC14N80P
IXFC14N80P
Modelo do Produto:
IXFC14N80P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19556 Pieces
Ficha de dados:
IXFC14N80P.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS220™
Série:HiPerFET™, PolarHT™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:770 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max):130W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:ISOPLUS220™
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXFC14N80P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:61nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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