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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFN66N85X
IXFN66N85X
IXFN66N85X
Modelo do Produto:
IXFN66N85X
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13109 Pieces
Ficha de dados:
IXFN66N85X.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 33A, 10V
Dissipação de energia (Max):830W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFN66N85X
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:230nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 850V 65A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):850V
Descrição:850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

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