RQ1A060ZPTR
RQ1A060ZPTR
Modelo do Produto:
RQ1A060ZPTR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12002 Pieces
Ficha de dados:
RQ1A060ZPTR.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TSMT8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 6A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Outros nomes:RQ1A060ZPTR-ND
RQ1A060ZPTRTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:RQ1A060ZPTR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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