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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFT12N100F
IXFT12N100F
IXFT12N100F
Modelo do Produto:
IXFT12N100F
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1KV 12A TO268
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18774 Pieces
Ficha de dados:
IXFT12N100F.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-268 (IXFT)
Série:HiPerRF™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.05 Ohm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFT12N100F
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:77nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1KV 12A TO268
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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