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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFT13N100
IXFT13N100
IXFT13N100
Modelo do Produto:
IXFT13N100
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12530 Pieces
Ficha de dados:
IXFT13N100.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-268
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:900 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Outros nomes:Q2093962
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Surface Mount
Número de peça do fabricante:IXFT13N100
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 12.5A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12.5A (Tc)
Email:[email protected]

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