Comprar IXFT20N80Q com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 4mA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-268 |
Série: | HiPerFET™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 420 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 360W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | IXFT20N80Q |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5100pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 800V 20A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268 |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 800V |
Descrição: | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |