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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFT23N80Q
IXFT23N80Q
IXFT23N80Q
Modelo do Produto:
IXFT23N80Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16663 Pieces
Ficha de dados:
IXFT23N80Q.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 3mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-268
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:420 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):500W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXFT23N80Q
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 23A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-268
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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